首页> 外文OA文献 >Mono Amplifier Class D Menggunakan Semikron SKHI 22B dan IGBT Module Semikron SKM75GB128DN
【2h】

Mono Amplifier Class D Menggunakan Semikron SKHI 22B dan IGBT Module Semikron SKM75GB128DN

机译:使用SKHI 22B Semicron和SKM75GB128DN Semicron IGBT模块的D类单声道放大器

摘要

Dalam perkembangan power amplifier, MOSFET banyak digunakan dalam komposisi pembuatannya. Seperti diketahui, MOSFET memiliki kerugian waktu on-off yang lebih lama dibandingkan dengan IGBT. Kerugian waktu on-off tersebut berdampak pada panas yang ditimbulkan MOSFET. Selain IGBT memiliki waktu on-off yang lebih cepat, IGBT juga tidak membebani sumber input-nya. Tujuan dari paper ini adalah merancang power amplifier class D dengan menggunakan IGBT driver semikron SKHI 22B dan IGBT module SKM75GB128DN. Power amplifier ini berbasis amplifier digital yang menggunakan sistem Pulse Width Modulation (PWM) untuk memproses sinyal audio. Sinyal audio yang masuk akan diproses menjadi sinyal digital yang kemudian akan diperkuat oleh transistor IGBT dan output-nya kembali di-filter menggunakan low pass filter sehingga dapat diterjemahkan ke subwoofer. Power amplifier yang telah dirancang mampu menghasilkan daya maksimal 7.41 watt. Respon frekuensi yang dihasilkan oleh power amplifier 0-180Hz. Dari segi kwalitas suara yang dihasilkan oleh subwoofer cenderung kasar karena proses pengubahan sinyal digital menjadi sinyal analog tidak sempurna.
机译:在功率放大器的开发中,MOSFET在其制造成分中被广泛使用。众所周知,与IGBT相比,MOSFET具有更长的开关时间损耗。开关时间的损失会影响MOSFET产生的热量。除了IGBT具有更快的通断时间外,IGBT也不负担其输入源。本文的目的是使用IGHI半cron驱动器SKHI 22B和IGBT模块SKM75GB128DN设计D类功率放大器。该功率放大器基于使用脉冲宽度调制(PWM)系统处理音频信号的数字放大器。输入的音频信号将被处理成数字信号,然后由IGBT晶体管放大,并使用低通滤波器将输出滤波回去,以便可以将其转换为低音炮。设计的功率放大器可以产生7.41瓦的最大功率。功率放大器产生的频率响应为0-180Hz。就超低音扬声器产生的声音的质量而言,由于将数字信号转换为模拟信号的过程并不完善,因此声音往往较粗糙。

著录项

  • 作者

    Christanto, Ivan;

  • 作者单位
  • 年度 2013
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 ID
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号